现代电子技术

2019, v.42;No.543(16) 49-52+57

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内嵌PMOS的高维持电压LVTSCR设计
Design of high holding voltage LVTSCR with embedded PMOS

陈磊;李浩亮;刘志伟;刘俊杰;杨波;

摘要(Abstract):

LVTSCR器件结构相对于普通SCR具有低电压触发特性而被广泛用于集成电路的片上静电放电(ESD)防护中。但是在ESD事件来临时,其维持电压过低易发生闩锁(latch-up)效应致使器件无法正常关断。为改进LVTSCR这一缺陷,提出了一种内嵌PMOS的高维持电压LVTSCR结构,即Embedded PMOS LVTSCR(EP-LVTSCR)。该结构基于内嵌PMOS组成的分流通路抽取阱内载流子,抑制寄生晶体管PNP与NPN正反馈效应,来提高器件抗闩锁能力;通过Sentaurus TCAD仿真软件模拟0.18μm CMOS工艺,验证器件的电流电压(I-V)特性。实验结果表明,与传统LVTSCR相比较,EP-LVTSCR的维持电压从2.01 V提升至4.50 V,触发电压从8.54 V降低到7.87 V。该器件具有良好的电压钳位特性,适用于3.3 V电源电路芯片上静电防护应用。

关键词(KeyWords): LVTSCR;静电放电;闩锁效应;维持电压;EP-LVTSCR;分流

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助项目(61874098)~~

作者(Author): 陈磊;李浩亮;刘志伟;刘俊杰;杨波;

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